研究人员设计了这样一个实验

研究人员呼吁对隧穿粒子的时间进行新的测量

隧穿效应是指粒子能够穿过不可能被穿过的障碍物。这种现象被广泛应用于半导体器件、量子计算和扫描隧道显微镜等领域。最近，一项研究表明，科学家们需要重新评估隧穿时间的测量方法。

在过去的二十年里，科学家们一直使用所谓的“Larmor钟”来测量隧穿粒子的时间。Larmor钟是一种旋转磁场的系统，可以测量粒子在强磁场中的旋转运动。根据经典物理学的理论，当电子隧穿通过磁场时，其旋转运动的改变将直接反映在测量结果上，据此可以推算出隧穿时间。

然而，一项最新的研究表明，当电子穿过掺杂硅等半导体材料时，由于材料中的自旋反转和原子结构的变化，Larmor钟对隧穿时间的测量方式可能不准确。这意味着，在这些材料中，隧穿时间可能被低估或高估了。

这项研究的作者之一，来自瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)的JulienClaudon表示：“电子在隧穿之前经过非常短的时间间隔，这个时间间隔可能被低估了。这种情况可能对由隧穿引起的电子传输过程的研究产生重要影响。”

这项研究提出了一种新的测量方法，可以更准确地测量隧穿时间。新的方法基于量子力学，通过测量颗粒穿过材料后在不同位置上的波动干涉来计算隧穿时间。这种方法可以适用于各种材料，包括石墨烯、半导体和金属。

对于材料科学和半导体行业来说，这项研究的结果可能会产生重大影响。隧穿效应在半导体芯片制造中广泛应用，而现有的隧穿时间测量方法可能会导致芯片性能不稳定或错误。因此，这项新研究的方法可能成为半导体行业推动技术进步所需的关键。

研究人员呼吁对隧穿粒子的时间进行新的测量，以更准确地了解隧穿效应的本质和应用，这将是未来材料科学和电子器件制造的关键所在。